高纯稀散金属
铟(In)Indium
4N;5N;6N;7N
主要用于制备III-V族化合物半导体、高纯合金、掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料、太阳能电池、红外探测器、荧光屏、磁敏器件等。
真空封装